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上海微系统所制备出小扭转角度双层石墨烯

admin2020-11-2688

2020-11-26 11:18 中国科学院

近年随着扭转角在魔角局限(~1.1°)的双层石墨烯中新颖量子征象的发现,扭转双层石墨烯的研究愈发受到关注。因此,催生了新的研究领域——twistronics。通例双层石墨烯是通过AB堆垛形成的稳固结构,而对于扭转双层石墨烯,其外面会展现出摩尔条纹超晶格,且该超晶格周期与双层石墨烯能带结构会随着扭转角度的转变而改变。现在,实验室小扭转角双层石墨烯多是通过微机械剥离法与手工堆垛方式制备,若何通过生长的方式直接制备小扭转角双层石墨烯是当前需要解决的主要课题。

克日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王浩敏课题组与清华大学教授李群仰团队互助,首次报道了在六角氮化硼(h-BN)外面通过化学气相沉积法制备具有差别扭转角的双层石墨烯研究工作,并发现小扭转角双层石墨烯的局域原子重构对其垂直电导的影响。11月20日,相关研究成果以Abnormal conductivity in low-angle twisted bilayer graphene为题,在线揭晓在《科学希望》上(Science Advances, 6, eabc5555, 2020)。

上海微系统所课题组提出了通过非平衡化学气相沉积法在h-BN外面制备差别扭转角度双层石墨烯的新方式:通过在h-BN外面首先制备单层多晶石墨烯薄膜,之后在其外面举行石墨烯单晶畴生长,最终实现h-BN外面具有差别扭转角度的双层石墨烯制备。研究人员与李群仰教授课题组互助,接纳导电原子力显微镜(C-AFM)丈量对比了差别扭转角度双层石墨烯垂直电导情形,发现小扭转角双层石墨烯中垂直电导的反常角度依赖性。科研人员与北京科技大学高磊副教授课题组互助,借助原子级界面接触质量模子、密度泛函理论盘算和扫描隧道显微镜的高分辨表征,进一步展现小扭转角下的反常电导行为源于双层石墨烯的局部原子重构导致的平均载流子浓度的降低。该研究首次展现范德华质料中原子级重构对垂直电导率的孝敬,为明白小扭转角范德华质料怪异的物理行为提供了指导,也为设计和优化二维质料的电学性能提供了新思路。

清华大学博士生张帅、宋爱生与上海微系统所陈令修博士为论文的配合第一作者,清华大学教授李群仰、上海微系统所研究员王浩敏和北京科技大学副教授高磊为论文通讯作者。研究工作获得国家重点研发设计、国家自然科学基金、中科院战略性先导科技专项(B类)设计和上海市科委基金的资助。

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上海微系统所制备出小扭转角度双层石墨烯 第1张

图1.h-BN外面扭转双层石墨烯制备工艺示意图

上海微系统所制备出小扭转角度双层石墨烯 第2张

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